大学物理电磁复习整理 9页

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  • 2022-08-16 发布

大学物理电磁复习整理

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静电场基本概念:EU基本定理:样・力=丄工G$£()样•加=0基本计算:Eu%徐二讥叫-叫)二巴-h-Wh=q^E^dl本章内容要点:静电场的场量点电荷电场叠加性Ew关系p—qfE=00up=Je・dTp4^e0r20u=Wa=lE»dlaq°'U=q4亦U=<\duE=-Vw场强的计算1、叠加法工EM2.高斯定理法]E^ds=—^qi3、梯度法E=-Vw电势的计算1、叠加法工均^du2>定义法00up=•dl\n几种特殊带电体的场强分布①无限大带电平面②无限长均匀带电细杆22兀y③无限长均匀带电圆柱面fOrRrRrR④无限长均匀带电圆柱体⑤均匀带电球面⑧均匀带电圆平面轴线上一点\n1•导体静电平衡条件2•静电平衡下导体的性质⑴实心导体(Q仅分布于表面,b=表1整个导体是等势体1•磁场的计算1)毕奥…萨伐尔定律dB=牛叱4nr2)电流产生磁场B戸B=\dB微观叠加P二工E场叠加2•磁场方程1)磁场高斯定理2)安培环路定理(稳恒磁场无源)(稳恒磁场有旋)3•电磁相互作用1)安培定律df=IdlxB2)磁场对载流导线的安培力3)磁场对载流线圈的作用力矩M=mxB4)磁场对运动电荷的洛仑兹力F=qBx4•载流线圈的磁矩5•霍耳电压m=NISH\n\n重要的结论1・直电流的磁场吐空(cg-CT)4ttq*无限长载流直导线3=^-17ia*半无限长载流直导线*直导线延长线上2.圆电流轴线上某点的磁场大小:R二一2(F+/)3/2方向:右手螺旋法则(1)载流圆环圆心处的B圆心角0=2ti£=叩2R⑵载流圆弧,月二“。仃°二“%2R2/r4兀R(3)IB梧o\n[讨论」①圆心处:B=2R②一段圆弧电流,圆心处:>/O砂也22R2兀dF=/(伽sin0安培定律Id戸=巾厂X另<意义一磁场对电流元作用的力,在数值上弩于电流元/dT的大小、电流元所在处的磁感强度用大小以及电流元和磁感座强度之间的夹角0的正弦之乘枳,0戸垂直于/d7和〃所组成的平面,且d戸与IdFxB同向・⑥有限长载流导线所受的安培力戸打昉打皿X带电粒子在磁场中的运动1设有一均匀磁场,磁感应强度为鸟,一电荷量为q、质量为〃7的粒子,以初速卩0进入磁场中运动。(1)如果话斤相互平行F=0粒子作匀速直线运动。(2)如果%与§垂直F=qvQB粒子作匀速圆周运动。F二q''°Bqv^B=m=r°。£qB丁27rR小inT==2/r——%qB・o,\nR丿qB注:«!聚焦ABB(3)如果%与B斜交成确vox=vocos<9von=vQsin0粒子作螺旋运动。r=〃八on丁2加7~~qBh=vQxT=v电磁感应重要内容回顾K电磁感应电磁感应定律&=—2%zdt\n楞次定律:感应电流的方向总是反抗引起感应电流的原因2、动生电动势3、感生电动势£:=\n电势保守力:力所做的功只与物体的始末位置有关,而与所经历的路径无关,这类力叫做保守力。如:万有引力、弹性力、静电力等结论:*试验电荷在点电荷的电场中移动时,电场力所做的功只与起点和终点的位置有关,而与试验电荷在电场中所经过的路径无关。*点电荷所产生的电场是保守力场。*试验电荷在任何静电场屮移动时,电场力所做的功只与路径的起点和终点的位置有关,而与路径无关。静电力是保守力,静电力场是保守力场。*静电场环路定理:在静电场中,场强沿任意闭合路径的线积分等于零。电势能1.因为静电场的保守性,或静电场力作功与路径无关,所以任一电荷在静电场屮都具有势能,叫屯势能。2.静电力作功和电势能増量的关系:qO在静电场中移动时,它的电势能的减少等于电场力所做的功。qO在屯场屮d,“两点的电势能之差等于把qO从d点移至b点过程屮屯场力所做的功。电势能零点电荷qQ在电场中某点的电势能等于把电荷从该点沿任意路径移动到电势能零点静电场力所做的功。电势差静电场的保守性意味着,存在一个由电场中各点位置所决定的标量函数,即可引入电势的概念。1、定义:从点a到点b移动单位正电荷时静电场力所作的功或电场中单位正电荷在a、b两点的电势能之差称为b两点的电势差。2、电场中任意两点°、b的电势差,等于把单位止电荷从。点沿任意路径移动到方点静电场力所做的功,等于场强沿任意路径从d点到〃点的线积分。3、把电荷gO从d沿任意路径移动到b静电场力所做的功为如匕)电势1.定义:电场中任一点电势等于把单位正电荷口该点沿任意路径移动到电势零点静电场力所做的功,或等于场强从该点沿任意路径到电势零点的线积分。2.电势和电势能的关系:电势是描述电场能量性质的物理量,与试验电荷无关导体的静电平衡处于静电平衡状态的导体的性质:1、导体是等势体,导体表面是等势面。2、导体内部处处没有未被抵消的净电荷,净电荷只分布在导体的表面上。3、导体以外,靠近导体表面附近处的场强人小与导体表面在该处的面电荷密度b的关系为E=4、导体外部近表面处场强方向与该处导体表面垂直,大小与该处导体表面电荷面密度况成正比。

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