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第三章双极结型晶体管填空题1、晶体管的基区输运系数是指（基区中到达集电结的少子）电流与（发射结注入基区的少子 ）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（ 扩散  ），从而使基区输运系数（  变大   ）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（ 小于    ）基区少子扩散长度。2、晶体管中的少子在渡越（   ）的过程中会发生（   ），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（ ）。3、晶体管的注入效率是指（                       ）电流与（         ）电流之比。为了提高注入效率，应当使（   ）区掺杂浓度远大于（   ）区掺杂浓度。4、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α是指发射结（正 ）偏、集电结（ 零）偏时的（ 集电结    ）电流与（   发射结  ）电流之比。5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指（ 发射  ）结正偏、（ 集电  ）结零偏时的（ 集电结    ）电流与（ 基区）电流之比。6、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（   ）基区宽度，（   ）基区掺杂浓度。7、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm和60μm，若要获得1kΩ的电阻，则该材料的长度应改变为（  600μm   ）。8、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（       ），它对少子在基区中的运动起到（   ）的作用，使少子的基区渡越时间（   ）。9、小电流时α会（   ）。这是由于小电流时，发射极电流中（                     ）的比例增大，使注入效率下降。10、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（       ），反而会使其（   ）。造成发射区重掺杂效应的原因是（       ）和（           ）。11、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（ ）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（         ）大于同质结双极晶体管的。\n12、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（   ）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（   ），这称为（           ）效应。13、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（   ），使基区宽度（   ），从而使集电极电流（   ），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。14、IES是指（集电 ）结短路、（ 发射）结反偏时的（发射）极电流。15、ICS是指（发射 ）结短路、（集电 ）结反偏时的（集电）极电流。16、ICBO是指（ 发射）极开路、（集电 ）结反偏时的（共基极反向截止）极电流。17、ICEO是指（ 基  ）极开路、（集电结）结反偏时的（共发射极反向截止   ）极电流。18、IEBO是指（ 集电  ）极开路、（ 发射  ）结反偏时的（共基   ）极电流。19、BVCBO是指（ 发射  ）极开路、（   ）结反偏，当（  I‘cbo  ）→∞时的VCB。20、BVCEO是指（ 基  ）极开路、（   ）结反偏，当（ I‘ceo  ）→∞时的VCE。21、BVEBO是指（集电   ）极开路、（   ）结反偏，当（  I‘ebo ）→∞时的VEB。22、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（   ）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（   ）基区宽度、（   ）基区掺杂浓度。23、比较各击穿电压的大小时可知，BVCBO（ 大于  ）BVCEO，BVCBO（ 远远大于  ）BVEBO。24、随着信号频率的提高，晶体管的αω,βω的幅度会（ 减小  ），相角会（ 滞后  ）。25、在高频下，基区渡越时间τb对晶体管有三个作用，它们是：（                 ）、（                   ）和（                       ）。\n26、基区渡越时间τb是指（                           ）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（ ）倍。27、晶体管的共基极电流放大系数|αω|随频率的（ 减小  ）而下降。当晶体管的|αω|下降到（  α0   ）时的频率，称为α的截止频率，记为（ fa）。28、晶体管的共发射极电流放大系数|βω|随频率的（   ）而下降。当晶体管的|βω|下降到β0时的频率，称为β的（       ），记为（ ）。29、当f>>fβ时，频率每加倍，晶体管的|βω|降到原来的（   ）；最大功率增益Kpmax降到原来的（   ）。30、当（   ）降到1时的频率称为特征频率fT。当（ Kp  ）降到1时的频率称为最高振荡频率fM。31、当|βω|降到（1 ）时的频率称为特征频率fT。当Kpmax降到（1 ）时的频率称为最高振荡频率fM。32、晶体管的高频优值M是（       ）与（       ）的乘积。33、晶体管在高频小信号应用时与直流应用时相比，要多考虑三个电容的作用，它们是（           ）电容、（           ）电容和（           ）电容。34、对于频率不是特别高的一般高频管，τec中以（ ）为主，这时提高特征频率fT的主要措施是（           ）。35、为了提高晶体管的最高振荡频率fM，应当使特征频率fT（   ），基极电阻rbb'（   ），集电结势垒电容CTC（   ）。问答与计算题1、画出NPN晶体管在饱和状态、截止状态、放大状态和倒向放大状态时的少子分布图。2、画出共基极放大区晶体管中各种电流的分布图，并说明当输入电流Ie经过晶体管变成输出电流IC时，发生了哪两种亏损？\n3、倒向晶体管的电流放大系数为什么小于正向晶体管的电流放大系数？6、先画出双极晶体管的理想的共发射极输出特性曲线图，并在图中标出饱和区与放大区的分界线，然后再分别画出包括厄尔利效应和击穿现象的共发射极输出特性曲线图。7、什么是双极晶体管的特征频率fT？写出fT的表达式，并说明提高fT的各项措施。8、写出组成双极晶体管信号延迟时间τec的4个时间的表达式。其中的哪个时间与电流Ie有关？这使fT随Ie的变化而发生怎样的变化？9、什么是双极晶体管的最高振荡频率fM？写出fM的表达式，说明提高fM的各项措施。12、某均匀基区晶体管的WB=2μm,LB=10μm，试求此管的基区输运系数β*之值。若将此管的基区掺杂改为指数分布，场因子η=6，则其β*变为多少？13、某均匀基区NPN晶体管的WB=2μm,NB=1017cm-1,DB=18cm2s-1,τB=5×10–7s，试求该管的基区输运系数β*之值。又当在该管的发射结上加0.6V的正向电压，集电结短路时，该管的JnE和JnC各为多少？15、某双极型晶体管的R□B1=1000Ω,R□E=5Ω，基区渡越时间τb=10–9s,当IB=0.1mA时,IC=10mA，求该管的基区少子寿命τb。16、某晶体管的基区输运系数β*=0.99，注入效率γ=0.97，试求此管的α与β。当此管的有源基区方块电阻R□B1乘以3，其余参数均不变时，其α与β变为多少？17、某双极型晶体管当IB1=0.05mA时测得IC1=4mA，当IB2=0.06mA时测得IC2=5mA，试分别求此管当IC=4mA时的直流电流放大系数β与小信号电流放大系数βO。18、某缓变基区NPN晶体管的BVCBO=120V，β=81，试求此管的BVCEO。21、某高频晶体管的fβ=5MHz，当信号频率为f=40MHz时测得其|βω|=10，则当f=80MHz时|βω|为多少？该管的特征频率fT为多少？该管的β0为多少？22、某高频晶体管的β0=50，当信号频率f为30MHz时测得|βω|=5，求此管的特征频率fT，以及当信号频率f分别为15MHz和60MHz时的|βω|之值。23、某高频晶体管的基区宽度WB=1μm，基区渡越时间τb=2.7×10-10s,fT=550MHz。当该管的基区宽度减为0.5μm，其余参数都不变时，fT变为多少？\n27、某晶体管当IB1=0.05mA时测得IC1=4mA，当IB2=0.06mA时测得IC2=5mA，试分别求此管当IC=4mA时的直流电流放大系数β与增量电流放大系数β0。28、已知某硅NPN均匀基区晶体管的基区宽度WB=2μm，基区掺杂浓度nB=5×1016cm-3，基区少子寿命tB=1μs，基区少子扩散系数DB=15cm2s-1，以及从发射结注入基区的少子电流密度JnE=0.1A/cm2。试计算基区中靠近发射结一侧的非平衡少子电子浓度nB(0)、发射结电压VBE和基区输运系数β*。29、已知某硅NPN缓变基区晶体管的基区宽度WB=0.5μm，基区少子扩散系数DB=20cm2s-1，基区自建场因子η=20，试计算该晶体管的基区渡越时间tb。33、在N型硅片上经硼扩散后，得到集电结结深xjc=2.1μm，有源基区方块电阻R□B1=800Ω，再经磷扩散后，得发射结结深xje=1.3μm，发射区方块电阻R□e=10Ω。设基区少子寿命tB=10-7s，基区少子扩散系数DB=15cm2s-1，基区自建场因子η=8，试求该晶体管的电流放大系数α与β分别为多少？35、已知某硅NPN均匀基区晶体管的基区宽度WB=2.5μm，基区掺杂浓度nB=1017cm-3，集电区掺杂浓度nC=1016cm-3，试计算当VCB=0时的厄尔利电压VA的值。第五章绝缘栅场效应晶体管填空题1、N沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（   ）。2、P沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（   ）。\n3、当VGS=VT时，栅下的硅表面发生（     ），形成连通（ ）区和（ ）区的导电沟道，在VDS的作用下产生漏极电流。4、N沟道MOSFET中，VGS越大，则沟道中的电子就越（ ），沟道电阻就越（ ），漏极电流就越（ ）。5、在N沟道MOSFET中，VT>0的称为增强型，当VGS=0时MOSFET处于（   ）状态；VT<0的称为耗尽型，当VGS=0时MOSFET处于（   ）状态。6、由于栅氧化层中通常带（ ）电荷，所以（ ）型区比（ ）型区更容易发生反型。7、要提高N沟道MOSFET的阈电压VT，应使衬底掺杂浓度nA（   ），使栅氧化层厚度Tox（   ）。8、N沟道MOSFET饱和漏源电压VDsat的表达式是（            ）。当VDS>=VDsat时，MOSFET进入（   ）区，漏极电流随VDS的增加而（   ）。9、由于电子的迁移率μn比空穴的迁移率μp（ ），所以在其它条件相同时，（ ）沟道MOSFET的IDsat比（ ）沟道MOSFET的大。为了使两种MOSFET的IDsat相同，应当使N沟道MOSFET的沟道宽度（   ）P沟道MOSFET的。10、当N沟道MOSFET的VGS