2020版高考物理一轮复习（练习·新人教版）第八章+第1节+电路的基本概念及规律 7页

第1节　电路的基本概念及规律 ‎1.下列说法中正确的是(　D　)‎ A.由R=可知,电阻与电压、电流都有关系 B.由R=ρ可知,电阻只与导体的长度和横截面积有关系 C.各种材料的电阻率都与温度有关,金属的电阻率随温度的升高而 减小 D.所谓超导现象,就是当温度降低到接近绝对零度的某个临界温度时,导体的电阻率突然变为零的现象 解析:R=是电阻的定义式,R与电压和电流无关,选项A错误;而R=ρ是电阻的决定式,即电阻与ρ,l,S都有关系,选项B错误;电阻率都与温度有关,金属的电阻率随温度的升高而增大,选项C错误;当温度降低到接近绝对零度的某个临界温度时,导体的电阻率突然变为零的现象叫超导现象,选项D正确.‎ ‎2.下图中的四个图像,最能正确地表示家庭常用的白炽灯泡在不同电压下消耗的电功率P与电压平方U2之间函数关系的是(　C　)‎ 解析:白炽灯泡为纯电阻,其电功率P=,但随着电压和灯泡工作时间的增加,灯丝电阻会增大,PU2图像会向下弯曲,选项C正确.‎ ‎3.现有一段长为L、电阻为R的均匀电阻丝,把它拉成‎3L长的均匀细丝后,切成等长的三段,然后把它们并联在一起,其电阻值为(　D　)‎ A. B.3R C. D.R 解析:根据R=ρ可知,原电阻丝被拉长3倍后的总阻值为9R,再切成三段后每段的阻值为3R,把它们并联后的阻值为R,选项D正确.‎ ‎4.(2018·江西七校联考)如图所示电路中,a,b两点与一个稳压直流电源相接,当滑动变阻器的滑片P向d端移动一段距离时,下列电路中的电流表读数会变小的是(　B　)‎ 解析:选项A,C,D中,滑动变阻器连入电路中的有效部分为滑片P右侧部分,当滑动变阻器的滑片P向d端移动时,滑动变阻器阻值减小,电路中的电流将会增大;而选项B中,滑动变阻器连入电路中的有效部分为滑片P左侧部分,当滑动变阻器的滑片P向d端移动时,滑动变阻器阻值增大,电路中的电流将会减小,选项B正确.‎ ‎5.如图所示,P是一个表面均匀镀有很薄电热膜的长陶瓷管,直径为D,其镀膜的长度为L,镀膜的厚度为d.管两端有导电金属箍M,N.现把它接入电路中,测得它两端电压为U,通过它的电流为I.则镀膜材料的电阻率ρ为(　C　)‎ A. B.‎ C. D.‎ 解析:根据部分电路欧姆定律I=,得R=,又根据电阻定律R=ρ,其中S=π(+d)2-π()2=π(D+d)d≈πDd,解得ρ=,故选项C正确.‎ ‎6.如图所示为甲、乙两灯泡的IU图像,根据图像计算甲、乙两灯泡并联在电压为220 V的电路中,实际发光的功率分别为(　C　)‎ A.15 W　30 W B.30 W　40 W C.40 W　60 W D.60 W　100 W 解析:两灯泡并联在电压为220 V的电路中,则每只灯泡两端的电压均为220 V,根据IU图像可知,甲灯工作时的电流约为I甲=‎0.18 A,乙灯实际工作时的电流约为I乙=‎0.27 A,所以它们的功率分别为P甲=I甲U= 0.18×220 W≈40 W,P乙=I乙U=0.27×220 W≈60 W,选项C正确.‎ ‎7.(2018·‎ 河北唐山一模)(多选)在如图所示电路中,电源内阻忽略不计,闭合开关S,滑动变阻器的滑片位于a点时,两理想电表的读数分别为U1,I1,滑动变阻器的滑片位于b点时,两理想电表的读数分别为U2,I2.下列判断正确的是(　BD　)‎ A.U1>U2,I1R2‎ C.U1ρ2,R1R2 D.ρ1>ρ2,R1>R2‎ 解析:由部分电路欧姆定律并结合图像可得U1=IR1=30-20=0,U2=IR2 =20-0=20,故R1lⅡ,所以ρ1<ρ2.综上可得,选项A正确.‎ ‎15.(2018·北京房山区模拟)电荷的定向移动形成电流,电流是物理量中的基本量之一.电流载体称为载流子,大自然有很多种承载电荷的载流子,例如,金属导体中可自由移动的电子、电解液内的离子、等离子体内的正负离子,半导体中的空穴,这些载流子的定向移动,都可形成电流.‎ ‎(1)电子绕氢原子核做圆周运动时,可等效为环形电流,已知静电力常量为k,电子的电荷量为e,质量为m,电子在半径为r的轨道上做圆周运动.试计算电子绕氢原子核在该轨道上做圆周运动形成的等效电流大小;‎ ‎(2)如图,AD表示一段粗细均匀的一段导体,两端加一定的电压,导体中的自由电荷沿导体定向移动的速率为v,设导体的横截面积为S,导体每单位体积内的自由电荷数为n,每个自由电荷所带的电荷量为e.试证明导体中电流I=neSv;‎ ‎ (3)有一圆柱形的纯净半导体硅,其横截面积为‎2.5 cm2,通有电流 2 mA时,其内自由电子定向移动的平均速率为7.5×10‎-5 m/s,空穴定向移动的平均速率为2.5×10‎-5 m/s.已知硅的密度为2.4×‎103 kg/m3,摩尔质量是28.电子的电荷量e=-1.6×10‎-19 C,空穴和电子总是成对出现,它们所带电荷量相等,但电性相反,阿伏加德罗常数为N0=6.02×1023 mol-1.若一个硅原子至多只释放一个自由电子,试估算此导体材料平均多少个硅原子才有一个硅原子释放出自由电子?‎ 解析:(1)电子绕核做圆周运动,所需的向心力由核对电子的库仑引力来提供,‎ 根据=‎ 又I==‎ 解得I=.‎ ‎(2)导体中电流大小I=,t时间内电荷定向移动的距离为vt,则其体积为Svt,通过导体某一截面的自由电子数为nSvt,该时间内通过导体该截面的电量q=nSvte,则I=neSv.‎ ‎(3)设此半导体单位体积内有n个自由电子,同时也将有n个空穴;以v1,v2分别表示半导体中空穴和自由电子的定向移动速率,I1和I2分别表示半导体中空穴和自由电子形成的电流,‎ 则有I1=nev1S I2=nev2S 总电流I=I1+I2‎ 由此可得n=‎ 设单位体积内硅原子数为N,则N=N0‎ 则=,‎ 代入数据解得=103.‎ 答案:(1)‎ ‎(2)见解析 ‎(3)103‎