半导体工艺化学实验报告 4页

半导体工艺化学实验报告 半导体工艺化学实验报告 在我们平凡的日常里，报告的适用范围越来越广泛，报告包含 标题、正文、结尾等。其实写报告并没有想象中那么难，以下是帮大 家的半导体工艺化学实验报告，仅供参考，希望能够帮助到大家。 实验名称：硅片的清洗 实验目的： 1. 熟悉清洗设备 2. 掌握清洗流程以及清洗前预准备 实验设备： 1. 半导体兆声清洗机（ SFQ-1006T） 2.SC-1 ；SC-2 清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这 些杂质有的以原子状态或离子状态， 有的以薄膜形式或颗粒形式存在 于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接 触器件、 工具、器皿带来的油脂或纤维。 无机污染包括重金属金、 铜、 铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引 起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤 维等，会导致各种缺陷。 清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。 我们这里所用的的 ` 是化学清洗。 清洗对于微米及深亚微米超大 规模集成电路的良率有着极大 ___ 。SC-1及 SC-2 对于清除颗粒及金 属颗粒有着显著的作用。 仪器准备： ①烧杯的清洗、干燥 ②清洗机的预准备：开总闸门、开空气压缩机；开旋转总电源 （清洗设备照明自动开启）； 将急停按钮旋转拉出，按下旁边电源 键；缓慢开启超纯水开关， 角度小于 45o；根据需要给 1#、2#槽加热， 正式试验前提前一小时加热，加热上限为 200o。本次实验中选用了 80℃为反应温度。 ③SC-1及 SC-2的配置： 我们配制体积比例是 1:2:5 ，所以选取溶液体积为 160ml，对 SC-1 NH4OH：H2O2：H2O=20:40:100ml，对 SC-2 HCl：H2O2： H2O=20:40:100ml。 ① 1# 号槽中放入装入 1 号液的烧杯， 待温度与槽中一样后， 放 入硅片，加热 10min, 然后超纯水清洗。 ② 2# 号槽中放入装入 2 号液的烧杯， 待温度与槽中一样后， 放 入硅片，加热 10min, 然后超纯水清洗。 ③ 兆声清洗 10 分钟，去除颗粒 ④ 利用相似相溶原理， 使用乙醇去除有机物， 然后超纯水清洗 并吹干。 利用显微镜观察清洗前后硅片图像表面 清洗前硅片照片 清洗后的硅片照片 清洗过后明显地发现硅片表面不像原来那样油腻，小颗粒明显 减少。说明我们此次使用实验方法是正确的，实验结果较为成功。 【半导体工艺化学实验报告】相关文章： 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 模板 , 内容仅供参考