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  • 2021-07-02 发布

2020届一轮复习通用版11-4教材基础(4)晶体结构与性质学案

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第4课时 教材基础(4)——晶体结构与性质 知识点一 晶体和晶胞 ‎1.晶体与非晶体 ‎(1)晶体与非晶体的区别 比较 晶体 非晶体 结构特征 结构粒子周期性有序排列 结构粒子无序排列 性质特征 自范性 有 无 熔点 固定 不固定 异同表现 各向异性 各向同性 二者区别方法 间接方法 测定其是否有固定的熔点 科学方法 对固体进行X射线衍射实验 ‎(2)获得晶体的三条途径 ‎①熔融态物质凝固。‎ ‎②气态物质冷却不经液态直接凝固(凝华)。‎ ‎③溶质从溶液中析出。‎ ‎2.晶胞 ‎(1)概念:晶胞是描述晶体结构的基本单元。‎ ‎(2)晶体中晶胞的排列——无隙并置 ‎①无隙:相邻晶胞之间没有任何间隙。‎ ‎②并置:所有晶胞平行排列、取向相同。‎ ‎[对点训练]‎ ‎1.判断正误(正确的打“√”,错误的打“×”)。‎ ‎(1)凡有规则外形的固体一定是晶体(×)‎ ‎(2)晶体有自范性但排列无序(×) ‎ ‎(3)不同的晶体中晶胞的大小和形状都相同(×)‎ ‎(4)固体SiO2一定是晶体(×)‎ ‎(5)冰和固体碘晶体中相互作用力相同(×)‎ ‎(6)晶体内部的微粒按一定规律周期性的排列(√)‎ ‎(7)区分晶体和非晶体最可靠的方法是对固体进行X射线衍射实验(√)‎ ‎2.下列物质中前者为晶体,后者为非晶体的是(  )‎ A.白磷、蓝矾        B.陶瓷、塑料 C.碘、橡胶 D.食盐、蔗糖 解析:选C A中白磷和蓝矾都是晶体;B中二者均为非晶体;C中碘为晶体,橡胶为非晶体;D中二者均为晶体。‎ ‎3.晶体是一类非常重要的材料,在很多领域都有广泛的应用。我国现已能够拉制出直径为300毫米的大直径硅单晶,晶体硅大量用于电子产业。下列对晶体硅的叙述中正确的是(  )‎ A.形成晶体硅的速率越大越好 B.晶体硅没有固定的熔、沸点 C.可用X射线衍射实验来鉴别晶体硅和玻璃 D.晶体硅的形成与晶体的自范性有关,而与各向异性无关 解析:选C A项,晶体的形成都要有一定的形成条件,如温度、压强、结晶速率等,但并不是说结晶速率越大越好,错误;B项,晶体有固定的熔、沸点,错误;C项,X射线衍射实验能够测出物质的内部结构,根据微粒是否有规则的排列就能区分出晶体与非晶体,正确;D项,晶体的形成与晶体的自范性和各向异性都有密切关系,错误。‎ 知识点二 晶体类型、结构和性质 ‎1.四种晶体类型的比较 分子晶体 原子晶体 金属晶体 离子晶体 构成微粒 分子 原子 金属阳离子、‎ 自由电子 阴、阳离子 粒子间的相互作用力 范德华力 ‎(某些含氢键)‎ 共价键 金属键 离子键 硬度 较小 很大 有的很大,‎ 有的很小 较大 熔、沸点 较低 很高 有的很高,‎ 有的很低 较高 溶解性 相似相溶 难溶于任何溶剂 难溶于常见溶剂 大多易溶于水等极性溶剂 导电、导热性 一般不导电,溶于水后有的导电 一般不具有导电性 电和热的良导体 晶体不导电,水溶液或熔融态导电 物质类别及举例 大多数非金属单质、气态氢化物、酸、非金属氧化物 部分非金属单质(如金刚石、硅、晶体硼)‎ 金属单质与合金(如Na、Al、Fe、青铜)‎ 金属氧化物(如K2O、Na2O)、强碱(如KOH、‎ ‎(SiO2除外)、绝大多数有机物(有机盐除外)‎ ‎、部分非金属化合物(如SiC、SiO2)‎ NaOH)、绝大部分盐(如NaCl)‎ ‎2.晶格能 ‎(1)概念:气态离子形成1 mol离子晶体释放的能量,通常取正值,单位:kJ·mol-1。‎ ‎(2)影响因素 ‎①离子所带电荷数:离子所带电荷数越多,晶格能越。‎ ‎②离子的半径:离子的半径越,晶格能越大。‎ ‎(3)与离子晶体性质的关系 晶格能越大,形成的离子晶体越稳定,且熔点越高,硬度越。‎ ‎3.典型晶体模型 晶体 晶体结构 晶体详解 原子晶体 金刚石 ‎①每个碳与相邻个碳以共价键结合,形成正四面体结构 ‎②键角均为109°28′‎ ‎③最小碳环由个C组成且六原子不在同一平面内 ‎④每个C参与4条C—C键的形成,C原子数与C—C键数之比为1∶2‎ SiO2‎ ‎①每个Si与个O以共价键结合,形成正四面体结构 ‎②每个正四面体占有1个Si,4个“O”, ‎ n(Si)∶n(O)=1∶2‎ ‎③最小环上有个原子,即6个O,6个Si 分子晶体 干冰 ‎①8个CO2分子构成立方体且在6个面心又各占据1个CO2分子 ‎②每个CO2分子周围等距且紧邻的CO2分子有个 离子晶体 NaCl型 ‎①每个Na+(Cl-)周围等距且紧邻的Cl-(Na+)有6个,每个Na+周围等距且紧邻的Na+有个 ‎②每个晶胞中含个Na+和个Cl-‎ CsCl型 ‎①每个Cs+周围等距且紧邻的Cl-有个,每个Cs+(Cl-)周围等距且紧邻的Cs+(Cl-)有6个 ‎②如图为8个晶胞,每个晶胞中含1个Cs+、1个Cl-‎ 金属晶体 简单立方堆积 典型代表Po,配位数为,空间利用率52%‎ 面心立方最密堆积 典型代表Cu、Ag、Au,配位数为,空间利用率74%‎ 体心立方堆积 典型代表Na、K、Fe,配位数为,空间利用率68%‎ 六方最密堆积 典型代表Mg、Zn、Ti,配位数为,空间利用率74%‎ ‎4.晶体熔、沸点的高低的比较 ‎(1)不同类型晶体熔、沸点的比较 ‎①不同类型晶体的熔、沸点高低一般规律:原子晶体>离子晶体>分子晶体。‎ ‎②金属晶体的熔、沸点差别很大,如钨、铂等熔、沸点很高,汞、铯等熔、沸点很低。 ‎ ‎(2)同种类型晶体熔、沸点的比较 ‎①原子晶体 →→→ 如熔点:金刚石>碳化硅>硅。 ‎ ‎②离子晶体 一般地说,阴、阳离子的电荷数越多,离子半径越小,则晶格能越大,晶体的熔、沸点越高,如熔点:MgO>MgCl2,NaCl>CsCl。‎ ‎③分子晶体 a.分子间范德华力越大,物质的熔、沸点越高;具有氢键的分子晶体熔、沸点反常高。如H2O>H2Te>H2Se>H2S。‎ b.组成和结构相似的分子晶体,相对分子质量越大,熔、沸点越高,如SnH4>GeH4>SiH4>CH4。‎ c.组成和结构不相似的分子晶体(相对分子质量接近),其分子的极性越大,熔、沸点越高,如CH3Cl>CH3CH3。‎ d.同分异构体,支链越多,熔、沸点越低。‎ 如CH3CH2CH2CH2CH3>‎ ‎④金属晶体 金属离子半径越小,离子电荷数越多,其金属键越强,金属晶体的熔、沸点越高,如熔、沸点:Na<Mg<Al。‎ ‎[对点训练]‎ ‎1.判断正误(正确的打“√”,错误的打“×”)。‎ ‎(1)在晶体中只要有阳离子就一定有阴离子(×)‎ ‎(2)分子晶体的熔点一定比金属晶体的低(×)‎ ‎(3)原子晶体的熔点一定比金属晶体的高(×)‎ ‎(4)离子晶体一定都含有金属元素(×)‎ ‎(5)金属元素和非金属元素组成的晶体不一定是离子晶体(√)‎ ‎(6)金属钠形成的晶体中,每个钠原子周围与其距离最近的钠原子有8个(√)‎ ‎(7)在CsCl晶体中,每个Cs+周围与其距离最近的Cl-有8个(√)‎ ‎2.下面的排序不正确的是(  )‎ A.熔点由高到低:Na>Mg>Al B.硬度由大到小:金刚石>碳化硅>晶体硅 C.晶体熔点由低到高:CO