（浙江专用）备战2020高考物理一轮复习 第三部分 加试30分题型强化练（六） 6页

加试30分题型强化练(六)‎ 二、选择题Ⅱ ‎14.加试题 (2018·诸暨市诸暨中学段考)下列说法正确的是(　　)‎ A．β、γ射线都是电磁波 B．原子核中所有核子单独存在时，质量总和大于该原子核的总质量 C．在LC振荡电路中，电容器刚放电时电容器极板上电荷量最多，回路电流最小 D．大量处于n＝4激发态的氢原子，共能辐射出四种不同频率的光子 ‎15.加试题(2018·台州市书生中学月考)某同学在学校实验室采用甲、乙单摆做实验时得到的振动图象分别如图1中甲、乙所示，下列说法中正确的是(　　)‎ 图1‎ ‎ A．甲、乙两单摆的摆长相等 B．两摆球经过平衡位置时，速率可能相等 C．乙单摆的振动方程是x＝－7sin πt(cm)‎ D．在任意相同时间内，两摆球的路程之比为10∶7‎ ‎16.加试题 分别用波长为λ和2λ的光照射同一种金属，产生的速度最快的光电子速度之比为2∶1，普朗克常量和真空中光速分别用h和c表示，那么下列说法正确的是(　　)‎ A．该种金属的逸出功为 6‎ B．该种金属的逸出功为 C．波长超过2λ的光都不能使该金属发生光电效应 D．波长超过4λ的光都不能使该金属发生光电效应 三、非选择题 ‎21.加试题 (2018·宁波市重点中学联考)小结同学在做“探究单摆周期与摆长的关系”实验中：‎ ‎(1)在利用游标卡尺测量摆球直径时，测得示数如图2甲所示，则该摆球的直径d＝________ mm；‎ ‎(2)在测摆长L时，她将毫米刻度尺的零刻度线与悬点对齐，示数如图乙所示，由此可知该单摆的摆长为L＝________ cm；‎ 图2‎ ‎(3)以下是实验过程中的一些做法，其中正确的有________．‎ A．摆线要选择细些的，伸缩性小些的，并且尽可能长一些 B．摆球尽量选择质量大些，体积小些的 C．为了使摆的周期大一些，以方便测量，开始时拉开摆球，使摆线相距平衡位置有较大的角度 D．拉开摆球，使摆线偏离平衡位置小于5度，在释放摆球的同时开始计时，当摆球第n次回到开始位置时停止计时，若所用时间为Δt，则单摆周期T＝ ‎22.加试题 (2018·义乌市模拟)如图3所示，在平面直角坐标系xOy中有一个等腰直角三角形硬质细杆框架FGH，框架竖直放在粗糙的水平面上，其中FG与地面接触．空间存在着垂直于框架平面的匀强磁场，磁感应强度为B，FG的长度为‎8‎L，在框架中垂线OH上S(0，L)处有一体积可忽略的粒子发射装置，在该平面内向各个方向发射大量速度大小相等、带正电的同种粒子，射到框架上的粒子立即被框架吸收．粒子的质量为m，电荷量为q，不计粒子间的相互作用以及粒子的重力．‎ 6‎ 图3‎ ‎(1)试问速率在什么范围内所有粒子均不可能打到框架上？‎ ‎(2)如果粒子的发射速率为，求出框架上能被粒子打中的长度；‎ ‎(3)如果粒子的发射速率仍为，某时刻同时从S点发出粒子，求从第一个粒子到达底边FG至最后一个到达底边的时间间隔Δt.‎ 6‎ ‎23.加试题如图4所示，两根金属导体棒a和b的长度均为L，电阻均为R，质量分布均匀且大小分别为‎3m和m.现用两根等长的、质量和电阻均忽略不计且不可伸长的柔软导线将它们组成闭合回路，并悬跨在光滑绝缘的水平圆棒两侧．其中导体棒b处在宽度为H的垂直纸面向里、磁感应强度大小为B的匀强磁场中，导体棒a位于磁场的正上方．现将导体棒b从磁场的下边界由静止释放，若磁场宽度H足够大，导体棒b穿过磁场的过程中，导体棒a未能进入磁场，整个运动过程中导体棒a、b始终处于水平状态，重力加速度为g.求：‎ 图4‎ ‎(1)导体棒b在磁场中运动时获得的最大速度v；‎ ‎(2)若导体棒b获得最大速度v时，恰好到达磁场的上边界，则b棒从释放到穿出磁场所需要的时间t；‎ ‎(3)在(2)问过程中产生的热量Q.‎ 答案精析 ‎14．BC　[β 射线为高速电子流，不是电磁波，选项A错误．原子核的质量小于组成它的核子的质量之和，选项B正确．LC 6‎ 振荡电路中，电容器开始放电时，由于自感线圈的阻碍作用，因此回路电流从小变大，选项C正确．处于n＝4激发态的氢原子可以放出C＝6种不同频率的光子，选项D错误．]‎ ‎15．AC　[由题图可知，两单摆周期相等，根据单摆周期T＝2π，甲、乙两单摆的摆长相等，A正确；T＝2.0 s，ω＝＝π rad/s，所以乙单摆的振动方程是x＝－7sin πt(cm)，C正确．]‎ ‎16．AD　[由hν＝W0＋Ek知h＝W0＋mv，h＝W0＋mv，又v1＝2v2，得W0＝，A正确，B错误．光的波长小于或等于3λ时都能发生光电效应，C错误，D正确．]‎ ‎21．(1)14.3　(2)76.20±‎0.02 cm　(3)AB ‎22．(1)v≤　(2)(＋)L　(3) 解析　(1)如图甲所示，以OS为直径的粒子在运动过程中刚好不碰到框架．‎ 根据几何关系，OS＝2r0＝L 根据牛顿第二定律得qv0B＝m，解得v0＝ 则满足v≤的粒子均不可能打到三角形框架上．‎ ‎(2)当粒子速率v1＝时，可求得其做圆周运动的半径r＝L，‎ 如图乙所示，当粒子的入射速度方向沿SO方向时，运动轨迹与FG相切于J点；当粒子的入射速度方向沿OS方向时，运动轨迹与FG相切于I点，介于这二者之间的入射粒子均可打在框架FG上，框架上被粒子打中的长度为图丙中JK之间的距离，其中OJ＝r＝L ‎ ‎ SK＝2r＝‎2‎L，OK＝＝L 挡板上被粒子打中的长度JK＝(＋)L 6‎ ‎(3)如图丁所示，粒子从S点发出到达底边FG的最长时间为，最短时间为，T＝ Δt＝T－T＝T＝.‎ ‎23．(1)　(2)＋ ‎(3)2mgH－ 解析　(1)设导线的拉力大小为FT，导体棒b受到的安培力为F安．‎ 对导体棒a：3mg－‎2FT＝3ma 对导体棒b：‎2FT－mg－F安＝ma 联立以上两式解得2mg－F安＝4ma 导体棒b切割磁感线产生的感应电动势E＝BLv 感应电流I＝，F安＝BIL＝ 当b棒的速度最大时，a＝0‎ 整理后解得v＝ ‎(2)由(1)可知，导体棒b上升过程中的加速度a＝g－ 由微元法得v＝ΣaΔt＝gΣΔt－ΣvΔt＝gt－H 解得t＝＋ ‎(3)对导体棒a、b组成的系统，由能量守恒定律有(‎3m－m)gH－Q＝×4mv2‎ 解得Q＝2mgH－.‎ 6‎